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J-GLOBAL ID：200903037401998647
バリアメタルの形成方法及び配線接続構造の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994094220
Publication number (International publication number)：1995302771
Application date： May. 06, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 バリアメタルとしてTiNを用いるバリアメタル形成方法、及びこのバリアメタルを用いる配線接続構造の形成方法について、埋め込み配線材料の埋め込み性が良好で、かつ低抵抗を実現でき、よって低抵抗とカバレッジとを両立できる技術を提供する。【構成】 接続孔3に埋め込み形成された埋め込み配線材料の下地に用いるTiNバリアメタルまたはこれを有する接続構造の形成の際、プラズマCVD法等によってTiNバリアメタル5aを接続孔側壁に成長しない条件と、TiCl4 とN2 と微量のH2 による反応、あるいはTiCl4 とN2 のみの反応にて同バリアメタル5bを側壁にも成長する条件を順不同に組み合わせて成膜する。
Claim (excerpt)：
接続孔に埋め込み形成された埋め込み配線材料の下地に用いるTiNバリアメタルの形成方法であって、TiNバリアメタルを接続孔側壁に成長しない条件と側壁にも成長する条件を組み合わせて成膜することを特徴とするバリアメタル形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/768
