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J-GLOBAL ID：200903037404938467

流動化方式を用いた炭素ナノ構造体の処理方法

Inventor： 鄭 京澤 ,  金 明洙 ,  全 冠九 ,  李 永煕
Applicant, Patent owner： 三星コーニング株式会社
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004128506
Publication number (International publication number)：2005001980
Application date： Apr. 23, 2004
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】炭素ナノ構造体を処理するための効率的で簡単な方法の提供。【解決手段】導入されるキャリアガスを用いて反応器内で炭素ナノ構造体を流動化させ、反応器に反応ガスを別途に導入して流動化された炭素ナノ構造体と接触させることによって炭素ナノ構造体を処理することを含む本発明の方法によれば、炭素ナノ構造体を効率的に精製でき、均一に表面処理でき、炭素ナノ構造体を含む複合体の製造のような後処理に容易に使用できる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

(A)導入されるキャリアガスを用いて反応器内で炭素ナノ構造体を流動化させる段階;および (B)反応器に反応ガスを別途に導入して流動化された炭素ナノ構造体と接触させる段階を含む、炭素ナノ構造体の処理方法。

IPC (3)：

C01B31/02 ,  C09C1/44 ,  D01F9/127

FI (3)：

C01B31/02 101F ,  C09C1/44 ,  D01F9/127

F-Term (38)：

4G146AA11 ,  4G146AB04 ,  4G146AC02B ,  4G146AC16B ,  4G146AD37 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BA49 ,  4G146BC03 ,  4G146BC24 ,  4G146BC33B ,  4G146BC44 ,  4G146CB15 ,  4G146CB16 ,  4G146CB22 ,  4G146CB23 ,  4G146CB32 ,  4G146CB35 ,  4G146DA03 ,  4G146DA23 ,  4G146DA25 ,  4G146DA34 ,  4G146DA40 ,  4G146DA44 ,  4J002AA001 ,  4J002CE001 ,  4J002DA016 ,  4J002FB076 ,  4J002FB086 ,  4J002FD016 ,  4J037AA01 ,  4J037BB21 ,  4L037CS03 ,  4L037FA02 ,  4L037FA20 ,  4L037PA09 ,  4L037PA13 ,  4L037PA21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 韓国特許第372331号
  
• 韓国特許出願公開第2002-82816号
  
• 韓国特許第372307号
  
• 韓国特許出願公開第2002-54883号
  
• 韓国特許出願公開第2002-39998号
  
• 韓国特許出願公開第2001-85825号