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J-GLOBAL ID：200903037411017156

磁気抵抗効果膜

Inventor： 米村 光治 ,  亀井 一人 ,  沢崎 立雄
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 穂上 照忠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998207943
Publication number (International publication number)：2000040619
Application date： Jul. 23, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】金属-絶縁体型のグラニュラ系磁気抵抗効果膜において、その抵抗変化率を大きく向上させた磁気抵抗効果膜、その膜を用いた素子、およびその素子による磁気ヘッドないしは磁場センサ。【解決手段】(1)強磁性金属(Fe、Co、Ni、またはこれらの合金)をT、非磁性絶縁体マトリックスの酸化物または弗化物の金属元素(Al、Si、Mg、Hf、Y、Zrまたは希土類元素)をM、その一部に置換する金属元素(Ti、V、Cr、Nb、Mo、Ta、またはWの1種以上)をQとし、グラニュラ膜に含まれる全金属元素の原子濃度組成を、T<SB>y</SB>(M<SB>1-x</SB>Q<SB>x</SB>)<SB>1-y</SB>と表示するとき、xおよびyの値が、それぞれ0.05<x≦0.5、および0.4≦y≦0.8である磁気抵抗効果膜、(2)下地膜に、上記MまたはQで示される金属を用いた磁気抵抗効果膜、(3)グラニュラ膜と強磁性膜を積層した磁気抵抗効果膜、(4)これらの膜を用いた磁気抵抗効果素子、およびこの素子を用いた磁気ヘッドおよび磁場センサ。

Claim (excerpt)：

絶縁体マトリックス中に、強磁性金属であるFe、Co、Ni、またはこれらの合金、の粒子が分散したグラニュラ系の磁気抵抗効果膜であって、絶縁体マトリックスが下記の酸化物または弗化物の中から選んだ1種または2種以上の絶縁体化合物からなり、これら絶縁体化合物の金属元素の一部が、Ti、V、Cr、Nb、Mo、Ta、またはWのうちの1種または2種以上に置換されていることを特徴とする磁気抵抗効果膜。絶縁体化合物:Al酸化物、Si酸化物、Mg酸化物、Hf酸化物、Y酸化物、Zr酸化物、希土類元素の酸化物、Al弗化物、Mg弗化物、希土類元素の弗化物。

IPC (3)：

H01F 10/14 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (3)：

H01F 10/14 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z

F-Term (10)：

5D034BA02 ,  5D034CA06 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16