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J-GLOBAL ID：200903037413230302

半導体受光素子

Inventor： 湖東 雅弘 ,  只友 一行 ,  岡川 広明 ,  大内 洋一郎 ,  平松 和政 ,  濱村 寛 ,  野村 達士 ,  篠原 清晃
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社 ,  株式会社ニコン
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999218824
Publication number (International publication number)：2001044451
Application date： Aug. 02, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 受光対象光の偏光に対する異方性が抑制された入射側電極を有する受光素子を提供すること。【解決手段】 半導体結晶からなる受光層2と入射側電極P2とを少なくとも有する半導体受光素子であって、入射側電極P2は、受光層2に対し受光対象光Lが入射する側に設けられた電極であって、該入射側電極P2には、受光対象光が素子内に入射し得るよう、ドット状の開口hが複数集合した状態として設けられている。該開口hは、受光対象光の偏光に対して異方性を実質的に生じさせない開口形状(例えば、円形や楕円形など)、および/または、受光対象光の偏光に対して異方性を実質的に生じさせない配置パターンとして、形成されたものである。

Claim (excerpt)：

半導体結晶からなる受光層と、該受光層へ受光対象光が入射するための入射面に形成された入射側電極とを少なくとも有する半導体受光素子であって、該入射側電極には、受光対象光が素子内に入射し得るよう、ドット状の開口が複数集合した状態として設けられ、該開口が、受光対象光の偏光に対して異方性を実質的に生じさせない開口形状、および/または、受光対象光の偏光に対して異方性を実質的に生じさせない配置パターンとして、形成されたものであることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (2)：

H01L 31/02 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 31/02 A ,  H01L 31/10 H

F-Term (13)：

5F049MA02 ,  5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049SE02 ,  5F049SE09 ,  5F088AA02 ,  5F088AA04 ,  5F088AB07 ,  5F088BA20 ,  5F088FA02 ,  5F088FA09 ,  5F088GA02