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J-GLOBAL ID：200903037414912504

薄膜半導体の製造方法

Inventor： 松下 孟史
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996061551
Publication number (International publication number)：1997255487
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Sep. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】単結晶シリコンで構成できる薄膜半導体の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10の表面を多孔質化して多孔質層20を形成する工程と、半導体基板10に通電加熱しながら多孔質層20の上にエピタキシャル半導体膜30を形成する工程と、エピタキシャル半導体膜30を半導体基板10から多孔質層20を介して剥離する工程で製造する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面を多孔質化して多孔質層を形成する工程と、該半導体基板に通電加熱しながら該多孔質層の上にエピタキシャル半導体膜を形成する工程と、該エピタキシャル半導体膜を半導体基板から多孔質層を介して剥離する工程とを有することを特徴とする薄膜半導体の製造方法。

IPC (6)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/06 504 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (6)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/06 504 F ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 X