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J-GLOBAL ID：200903037430491675

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  原田 裕次 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  前田 一彦 ,  小森谷 治彦 ,  山中 一広
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005015496
Publication number (International publication number)：2005240024
Application date： Jan. 24, 2005
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：

【解決手段】 下記一般式(1a)、(1b)、及び(1c)で示される繰り返し単位から構成される高分子化合物。 【化1】(式中、R1、R2、R5、R6はH又はF、R3、R7はF又はフッ素化されたアルキル基、R4は酸不安定基、R8は密着性基、R9a、R9b、R9c、R9dはH又はアルキル基であって密着性基を有し、R9a〜R9dの内2つ以上が結合して環を形成していてもよいが、R9a〜R9dの全てが同時に水素原子にはならない。R10はメチレン基、エチレン基、酸素原子又は硫黄原子、dは0又は1)【効果】 本発明の高分子化合物を含むレジスト材料は、透明性が向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有するものである。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1a)、(1b)、及び(1c)で示される繰り返し単位から構成される高分子化合物。

IPC (8)：

C08F220/10 ,  C08F212/14 ,  C08F224/00 ,  C08F232/08 ,  C08F234/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027

FI (8)：

C08F220/10 ,  C08F212/14 ,  C08F224/00 ,  C08F232/08 ,  C08F234/00 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (75)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  4J100AB07S ,  4J100AL03P ,  4J100AL04P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL24P ,  4J100AL26P ,  4J100AL26Q ,  4J100AM43S ,  4J100AM45S ,  4J100AR11R ,  4J100AR32S ,  4J100AU28S ,  4J100BA02R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA04R ,  4J100BA10Q ,  4J100BA10R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA11S ,  4J100BA13Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA16R ,  4J100BA20P ,  4J100BA20R ,  4J100BA27Q ,  4J100BA28R ,  4J100BA35Q ,  4J100BA40Q ,  4J100BA58R ,  4J100BB07Q ,  4J100BB12Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC02P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC23P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC54Q ,  4J100BC58R ,  4J100BC59Q ,  4J100BC60Q ,  4J100BC65Q ,  4J100BC79Q ,  4J100BC83R ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 特公平2-27660号公報
  
• 特開昭63-27829号公報
  
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-050264   Applicant：富士通株式会社
• デバイス製造のためのパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-049956   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• レジスト組成物およびその利用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-063775   Applicant：日本ゼオン株式会社
• 国際公開第97/33198号パンフレット
  

Cited by examiner (5)

• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-033262   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-393302   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-030542   Applicant：信越化学工業株式会社
• 新規なエステル化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-182404   Applicant：信越化学工業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-375504   Applicant：信越化学工業株式会社