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J-GLOBAL ID：200903037440786045

低誘電率酸化シリコン系絶縁膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置

Inventor： 室山 雅和
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996274633
Publication number (International publication number)：1998125675
Application date： Oct. 17, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 SiOF中の遊離のFやHF、あるいは不安定なSiF2 結合等を減少することができる、低誘電率酸化シリコン系絶縁膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 フッ素を含む酸化シリコン系絶縁膜を成膜後、炭化水素を含むガスを用いたプラズマ処理を施す。【効果】 プラズマ処理により、膜中の不純物や不安定な結合が除去される。これにより、吸湿性が低下し、後工程で成膜するバリア層との密着性が向上し、高集積度かつ高速動作の半導体装置の信頼性が確保される。

Claim (excerpt)：

基板上にフッ素を含む酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程と、前記フッ素を含む酸化シリコン系絶縁膜にプラズマ処理を施す工程とを有することを特徴とする低誘電率酸化シリコン系絶縁膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/90 K