マイクロキャビティ半導体レーザ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996535953
Publication number (International publication number)：1999507471
Application date： May. 21, 1996
Publication date： Jun. 29, 1999
Summary：

【要約】第1のレーザ用マイクロディスク(10)と、断面周囲が円形のマイクロキャビティを規定するマイクロシリンダまたはマイクロ環と、異なる面上にあって共鳴フォトントンネリングによって光学的にカップリングした第2の導波管用マイクロ部材(12)とを含むレーザ。この第2の導波管用マイクロ部材は、マイクロキャビティのQ値と低いレーザしきい値に悪影響を及ぼすことなく、レーザから光出力を形成するために、光出力カップリング(18)を含んでいる。

Claim (excerpt)：

横断面周囲が実質的に円形のレーザ用マイクロキャビティを有する第1のマイクロ部材と、異なる面上の前記第1のマイクロ部材から離れかつ前記第1のマイクロ部材と光学的にカップリングされた第2の導波管用マイクロ部材とを備えるレーザであって、前記第2の導波管用マイクロ部材は前記レーザから光出力を供給するための光出力カップリングを含む、レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

六方晶半導体リング共振器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-256644 Applicant：松下電器産業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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