半導体装置およびその作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994186263
Publication number (International publication number)：1996032079
Application date： Jul. 14, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 OFF電流の小さい薄膜トランジスタを得る。【構成】 105に示すようにゲイト電極となるアルミニウムを主成分とする膜を島状に形成し、その側面にポーラス状の酸化物層107を陽極酸化工程で形成する。そして不純物イオンの注入を行うことにより、ソース領域110とドレイン領域111とを形成する。さらに先の酸化物層107を取り除き、再び不純物イオンの注入を行うことによって、ライトドープ領域を形成する。こうして、ソース/ドレイン領域とチャネル形成領域との間にライトドープ領域を有した構成を得ることができる。

Claim (excerpt)：

活性層と、該活性層をほとんど覆って形成された絶縁膜と、を有し、前記活性層中には、一対のライトドープ領域と一対のオフセットゲイト領域とが形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 G , H01L 29/78 311 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

薄膜トランジスタとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-108031 Applicant：セイコーエプソン株式会社
絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-030220 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-033931 Applicant：富士ゼロックス株式会社

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