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J-GLOBAL ID:200903037451830275
透明電極の形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西教 圭一郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992284610
Publication number (International publication number):1994140154
Application date: Oct. 22, 1992
Publication date: May. 20, 1994
Summary:
【要約】【目的】 薄膜EL(エレクトロルミネッセンス)素子を駆動するのに好適な面積抵抗の低い透明電極を形成することができる製造方法を提供する。【構成】 基板11の片側表面上に金属膜18を形成し、透明電極12が形成される部分の金属膜18をエッチングして除去する。その表面上にIn2O3などの導電物質13から成る薄膜を積層し、次に金属膜18および金属膜18上に積層された導電性物質13をエッチングして除去する。
Claim (excerpt):
基板の一方表面に金属膜を形成し、透明電極が形成される領域の金属膜を除去し、前記基板の一方表面に透明電極となる導電物質を付着し、前記導電物質が付着した金属膜のみを除去することを特徴とする透明電極の形成方法。
IPC (7):
H05B 33/10
, C01G 11/00
, C23F 1/02
, G02F 1/1343
, H01B 13/00 503
, H05B 33/28
, C23F 1/36
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