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J-GLOBAL ID：200903037452284576

光起電力素子

Inventor： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993259692
Publication number (International publication number)：1995115215
Application date： Oct. 18, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、ZnO/pin層界面、ZnO/基板界面近傍での光励起キャリアーの再結合の抑制を目的とする。【構成】 本発明は、基板上に酸化亜鉛薄膜層、非単結晶シリコン系半導体材料からなるpin層(p層、i層、n層)を積層してなる光起電力素子において、該酸化亜鉛薄膜層がc軸配向性を有する結晶性であり、表面に0.1〜1.0μmの凹凸を有し、且つ該酸化亜鉛薄膜層はフッ素を含有し、該含有量が層厚方向に変化し、基板との界面で最小、pin層に向かって徐々に多くなっていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に酸化亜鉛薄膜層、非単結晶シリコン系半導体材料からなるpin層(p層、i層、n層)を積層してなる光起電力素子において、該酸化亜鉛薄膜層がc軸配向性を有する結晶性であり、表面に0.1〜1.0μmの凹凸を有し、且つ該酸化亜鉛薄膜層はフッ素を含有し、該含有量が層厚方向に変化し、基板との界面で最小、pin層に向かって徐々に多くなっていることを特徴とする光起電力素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-194208
  
• 特開平4-266069
  
• 特開平4-164317