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J-GLOBAL ID：200903037454365140

透明導電性積層体及びそれを用いた分散型EL素子

Inventor：
山▲崎▼ 文晴

About 山▲崎▼ 文晴

, 
福田 伸

About 福田 伸


Applicant, Patent owner：
三井化学株式会社

About 三井化学株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998319340
Publication number (International publication number)：2000141533
Application date： Nov. 10, 1998
Publication date： May. 23, 2000
Summary：
【要約】【課題】 透明導電層の断線に起因する分散型EL素子の発光不良の発生を防止する。【解決手段】 透明基体(A)10の一方の主面に、少なくとも、酸化インジウムを主成分とする透明導電層(B)20を形成した積層体において、該透明導電層(B)の単位幅当たりの耐電流値を10(mA/mm)以上、80(mA/mm)以下とする。
Claim (excerpt)：
透明基体(A)の一方の主面に、少なくとも、酸化インジウムを主成分とする透明導電層(B)を形成した積層体であって、該透明導電層(B)の単位幅当たりの耐電流値が10(mA/mm)以上、80(mA/mm)以下であることを特徴とする透明導電性積層体。
IPC (3)：
B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  H05B 33/28
FI (3)：
B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A ,  H05B 33/28
F-Term (32)：
3K007AB02 ,  3K007AB05 ,  3K007AB11 ,  3K007CA05 ,  3K007CB01 ,  3K007DA04 ,  3K007DB02 ,  3K007EA03 ,  3K007EB04 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  4F100AA17B ,  4F100AA28 ,  4F100AA33 ,  4F100AA33B ,  4F100AK01A ,  4F100AK42 ,  4F100AR00A ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA07 ,  4F100EH66 ,  4F100EH662 ,  4F100EJ423 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01 ,  4F100JG01B ,  4F100JN01 ,  4F100JN01A ,  4F100JN01B ,  4F100YY00B ,  4F100YY003
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開昭48-055267
  • 透明導電膜およびその形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-273432   Applicant：株式会社リコー
  • 特開昭60-124397
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