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J-GLOBAL ID：200903037455999711

有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法

Inventor：
鈴木 伸昌

About 鈴木 伸昌

, 
曽根 和穂

About 曽根 和穂


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 渡辺 勝 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998356377
Publication number (International publication number)：2000183040
Application date： Dec. 15, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 有機層間絶縁膜の変質や形状変化が生じないレジストアッシング方法を提供する。【解決手段】 フォトレジスト105をマスクとして使用し、有機層間絶縁膜103をエッチングしてコンタクトホール又はビアホール106を形成した後、被処理基板をプラズマに曝すことによりホール底121に露出した下地物質をプラズマ中イオンにより逆スパッタリングしホール側壁に付着させる工程と、逆スパッタリング後にフォトレジスト105をアッシング除去する工程とを含む、有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法。
Claim (excerpt)：
フォトレジストをマスクとして使用し、有機層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホール又はビアホールを形成した後、被処理基板をプラズマに曝すことにより該ホール底に露出した下地物質を該プラズマ中イオンにより逆スパッタリングし該ホール側壁に付着させる工程と、該逆スパッタリング後に、前記フォトレジストをアッシング除去する工程とを含むことを特徴とする有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (3)：
H01L 21/302 H ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 A
F-Term (46)：
2H096AA27 ,  2H096HA11 ,  2H096HA13 ,  2H096HA14 ,  2H096HA30 ,  2H096LA06 ,  5F004AA08 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BD07 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DA28 ,  5F004DB23 ,  5F004DB24 ,  5F004DB25 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA04 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA13 ,  5F004EA14 ,  5F004EA28 ,  5F004EA40 ,  5F004EB01 ,  5F046LB10 ,  5F046MA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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