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J-GLOBAL ID：200903037460932641

半導体素子及び太陽電池

Inventor： 西田 彰志 ,  坂口 清文 ,  米原 隆夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997250502
Publication number (International publication number)：1998084126
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高品位な半導体素子及び太陽電池を提供すること。【解決手段】 エピタキシャル成長させて得た薄膜単結晶半導体及び多結晶シリコンを有し、該薄膜単結晶半導体と該多結晶シリコンとの間で形成する半導体接合を有する半導体素子。

Claim (excerpt)：

エピタキシャル成長させて得た薄膜単結晶半導体及び多結晶シリコンを有し、該薄膜単結晶半導体と該多結晶シリコンとの間で形成する半導体接合を有する半導体素子。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/20

FI (2)：

H01L 31/04 A ,  H01L 21/20