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J-GLOBAL ID：200903037474269511

スルホニウム塩及び化学増幅型ポジ型レジスト材料

Inventor： 大澤 洋一 ,  渡辺 聡 ,  島田 順次 ,  竹村 勝也 ,  名倉 茂広 ,  石原 俊信
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995155141
Publication number (International publication number)：1996325259
Application date： May. 30, 1995
Publication date： Dec. 10, 1996
Summary：

【要約】【目的】 微細加工技術に適した高解像度を有し、化学増幅型ポジ型レジスト材料の成分として好適な成分及びこれを配合した化学増幅型ポジ型レジスト材料を開発する。【構成】 下記一般式(1)で示され、分子中に少なくとも1つの環状アセタール、ヘミアセタール又はケタール保護されたジオキシフェニル基を有することを特徴とするスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、R2、R3はそれぞれ水素原子又はアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、また、R2、R3の一部が結合して環化していてもよい。Yは置換又は非置換のアルキル又はアリールスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつnとmの和は3である。)上記式(1)のスルホニウム塩を酸発生剤として配合した化学増幅型ポジ型レジスト材料。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示され、分子中に少なくとも1つの環状アセタール、ヘミアセタール又はケタール保護されたジオキシフェニル基を有することを特徴とするスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、R2、R3はそれぞれ水素原子又はアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、また、R2、R3の一部が結合して環化していてもよい。Yは置換又は非置換のアルキル又はアリールスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつnとmの和は3である。)

IPC (4)：

C07D317/46 ,  C07D317/62 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (4)：

C07D317/46 ,  C07D317/62 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R