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J-GLOBAL ID：200903037481114221
半導体ウェーハのウェット処理方法及びウェット処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991321760
Publication number (International publication number)：1993160104
Application date： Dec. 05, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウェーハのウェット処理方法及びウェット処理装置、詳しくは、アルミニウム膜を堆積する工程に先立ち半導体ウェーハ表面の酸化膜等を除去するウェット処理方法及び装置に関し、ウェット処理後の半導体ウェーハ表面に自然酸化膜が堆積しないようにし、しかも安全を保つことのできるウェット処理方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体ウェーハ4の表面に薬液をスプレーして半導体ウェーハ4表面の酸化膜等を除去する工程と、半導体ウェーハ4の裏面に純水をスプレーして洗浄する工程とを平行して実行し、半導体ウェーハ4の表面を純水洗浄することなく乾燥するように構成する。
Claim (excerpt)：
半導体ウェーハ(4)の表面に薬液をスプレーして前記半導体ウェーハ(4)表面の酸化膜等を除去する工程と、前記半導体ウェーハ(4)の裏面に純水をスプレーして洗浄する工程とを平行して実行し、前記半導体ウェーハ(4)の表面を前記薬液が付着した状態で乾燥する工程を有することを特徴とする半導体ウェーハのウェット処理方法。
IPC (2)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 341
