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J-GLOBAL ID：200903037493979554

強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法

Inventor： 沢崎 立雄 ,  山崎 篤志 ,  森口 晃治 ,  田ノ上 修二
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 穂上 照忠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998248363
Publication number (International publication number)：2000077744
Application date： Sep. 02, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】強磁性トンネル接合による磁気抵抗効果素子において、安定して高い磁気抵抗効果を実現させ得る素子を製造する方法の提供。【解決手段】絶縁体層をアルミナのスパッタにより成膜し、その厚さを1〜2nmとする強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造法。

Claim (excerpt)：

第一の強磁性体層、絶縁体層、および第二の強磁性体層からなる絶縁体層接合部のトンネル効果を利用する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、絶縁体層をアルミナのスパッタにより成膜し、その厚さを1〜2nmとすることを特徴とする強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造法。

IPC (3)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/18

FI (3)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/18

F-Term (11)：

5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049GC01