Pat
J-GLOBAL ID:200903037498142709
化合物半導体のオーム性電極及びその形成方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石原 詔二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993320448
Publication number (International publication number):1995176790
Application date: Dec. 20, 1993
Publication date: Jul. 14, 1995
Summary:
【要約】【目的】 ?@Au-Si電極の場合より低温熱処理でオーム性接触が得られ、?A接触抵抗が低く、かつそのバラツキも小さく、?Bノンシアン系エッチャントでも容易に電極パターン加工ができるn型III-V族化合物半導体用のAu-Si系オーム性電極材料を提供する。【構成】 金(Au)、シリコン(Si)及びニッケル(Ni)よりなる合金を用いてn型III-V族化合物半導体のオーム性電極を形成する。
Claim (excerpt):
金(Au)、シリコン(Si)及びニッケル(Ni)よりなる合金を用いて形成されたことを特徴とするn型III-V族化合物半導体のオーム性電極。
IPC (3):
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
, H01L 29/43
Return to Previous Page