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J-GLOBAL ID：200903037505300382

化合物半導体薄膜とその製造方法及び太陽電池

Inventor： 小原 直樹 ,  根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996219580
Publication number (International publication number)：1998064925
Application date： Aug. 21, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 Ga濃度の少ない高品質な膜でかつ太陽光スペクトルにマッチしたバンドギャップをもつ光吸収層を得る。Ia族を加えた条件でCu(In,Ga)3Se5がp形化するためのInとGaの固溶率の条件範囲に関する詳細については明らかでなく、さらに基板から拡散、混入しているNa等の不純物元素によってCu(In,Ga)3Se5の物性値がどのように変化しているかについてはわかっていないので、その詳細を検討することが重要な課題である。【解決手段】 Ia族元素を含有した[Cu2(SzSe1-z)]x[(In1-yGay)2(SzSe1-z)3]1-x化合物半導体薄膜(但し、0.16≦x≦0.34、0.05≦y≦0.55、0≦z≦1.0)を太陽電池の光吸収層に適用する。

Claim (excerpt)：

Ia族元素を含有した[Cu2(SzSe1-z)]x[(In1-yGay)2(SzSe1-z)3]1-x化合物半導体薄膜。但し、0.16≦x≦0.34、0.05≦y≦0.55、0≦z≦1.0である。

IPC (3)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04

FI (3)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 31/04 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-236333   Applicant：松下電器産業株式会社