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J-GLOBAL ID：200903037529718310

半導体製造装置

Inventor： 下山 徹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992235813
Publication number (International publication number)：1994084781
Application date： Sep. 03, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基板に付着させたレジストなどに含まれる溶剤を蒸発させる半導体製造装置に関し、特に蒸発した溶剤が液滴となってレジストなどに落下するのを防止できる半導体製造装置の提供を目的とする。【構成】 基板11を加熱し、この基板11に付着させた付着物12に含まれる溶剤13を蒸発させる溶剤乾燥手段21と、基板11の直上に配設されて、空気中の浮遊塵が基板11上に落下するのを防止する防塵手段31とを含んでなる半導体製造装置において、防塵手段31が、基板11に付着した付着物12上に浮遊塵が落下するのを防止する防塵カバー本体31a と、この防塵カバー本体31a の裏面に固定されて付着物12から蒸発する溶剤13の凝結を防止する加熱板31b とを含ませて構成する。

Claim (excerpt)：

基板(11)を加熱し、この基板(11)に付着させた付着物(12)に含まれる溶剤(13)を蒸発させる溶剤乾燥手段(21)と、前記基板(11)の直上に配設され、空気中の浮遊塵が基板(11)上に落下するのを防止する防塵手段(31)とを含んでなる半導体製造装置において、前記防塵手段(31)が、前記基板(11)に付着した付着物(12)上に前記浮遊塵が落下するのを防止する防塵カバー本体(31a) と、この防塵カバー本体(31a) の裏面に固定されて前記付着物(12)から蒸発する前記溶剤(13)の凝結を防止する加熱板(31b) とを含んで構成されていることを特徴とする半導体製造装置。