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J-GLOBAL ID：200903037532362993

シリコン移動を減少させる金属窒化物膜処理方法

Inventor： グレン ロイ ハワー ,  ダニエル デイビッド コステルニック ,  イー-チェン シー
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995343824
Publication number (International publication number)：1996279511
Application date： Dec. 28, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、シリコン移動を減少させる金属窒化物膜の処理方法に関する。【構成】 前記バリアを通じるシリコン移動を減少させるため、集積回路上の金属窒化物バリア層の表面を処理する。すなわち、金属窒化物バリア(例えばTiN)は窒素プラズマに晒され、それにより金属窒化物バリアのバリア特性を改善するものである。

Claim (excerpt)：

集積回路であって、前記集積回路が、基板と、第一の金属の層と前記第一の金属層の上で接触する第一の金属の窒化物層を有するものを製造する方法であって、窒化物化した前記第一の金属層を窒素プラズマに暴露するステップを有することを特徴とする集積回路の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C