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J-GLOBAL ID：200903037533483140

非単結晶炭化シリコン半導体薄膜及びその製造方法

Inventor： 阿閉 忠司
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995085208
Publication number (International publication number)：1996288279
Application date： Apr. 11, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 光学バンドギャップが大きく、構造欠陥を低減し、良好な光電特性を示し、新規なネットワーク構造を持つ非単結晶炭化シリコン及びその製造方法を得る。【構成】 光学的禁制帯幅が2.5eV以上の非単結晶炭化シリコン半導体薄膜を、Si1-X-Y Cx HY 膜と表した場合の、H原子の組成比YがC原子の組成比Xと等しいか又は小さく(Y≦X)、かつ膜中のC原子は4配位で結合しており、1個のC原子と結合した原子のうちH原子は1個以下で、残りの3個以上はSi原子と結合していることを特徴とする非単結晶炭化シリコン半導体薄膜。また、C原子と結合する水素を1個以下に減少させて、かつC原子が3個以上のSi原子と結合するように構造緩和を促進して作製する、その製造方法。

Claim (excerpt)：

少なくともSi原子とC原子とH原子を含み、その光学的禁制帯幅が2.5eV以上の非単結晶炭化シリコン半導体薄膜において、前記非単結晶炭化シリコン半導体薄膜をSi1-X-Y Cx HY 膜と表した場合の、H原子の組成比YがC原子の組成比Xと等しいか又は小さく(Y≦X)、かつ膜中のC原子は4配位で結合しており、1個のC原子と結合した原子のうち水素原子は1個以下で、残りの3個以上はSi原子と結合していることを特徴とする非単結晶炭化シリコン半導体薄膜。

IPC (5)：

H01L 21/314 ,  C01B 31/36 ,  C01B 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/108

FI (5)：

H01L 21/314 A ,  C01B 31/36 A ,  C01B 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 C