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J-GLOBAL ID：200903037535214561
化合物半導体発光素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997158325
Publication number (International publication number)：1998056204
Application date： Jul. 21, 1988
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 青色発光素子では、発光効率が低いため、発光素子外部への取り出し効率を高めることが必要であった。【解決手段】 基板上に、少なくとも、発光層と前記発光層の下端面に接合して配設された第1の導電型の導電層と前記発光層の上端面に接合して配設された第2導電型の導電層とを有する化合物半導体発光素子であって、前記発光層及び第2導電型の導電層が、前記第1の導電型の導電層上に部分的に設けられることによって、前記第1導電型の導電層に露出部分を有し、前記第1導電型の導電層の露出部分に第1の電極が設けられ、前記第2の導電型の導電層の上方に設けられた第2の電極が前記第2導電型の導電層の端部位置に配置されることを特徴とする化合物半導体発光素子を提供する。
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくとも、発光層と前記発光層の下端面に接合して配設された第1導電型の導電層と前記発光層の上端面に接合して配設された第2導電型の導電層とを有する化合物半導体発光素子であって、前記発光層及び第2導電型の導電層が、前記第1導電型の導電層上に部分的に設けられることによって、前記第1導電型の導電層に露出部分を有し、前記第1導電型の導電層の露出部分に第1の電極が設けられ、前記第2導電型の導電層の上方に設けられた第2の電極が前記第2導電型の導電層の端部位置に配置されることを特徴とする化合物半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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