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J-GLOBAL ID:200903037542169210
半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
前田 弘 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000139573
Publication number (International publication number):2001320003
Application date: May. 12, 2000
Publication date: Nov. 16, 2001
Summary:
【要約】【課題】 小型及び無騒音で高信頼性を有しながら半導体装置の省電力化を積極的に図る。【解決手段】 本発明の半導体装置10は、電子デバイス20と、電源31及び電子部品32を含む電子回路30とから構成されている。電子デバイス20は、電子回路30から供給される電力又は電気信号により所定の機能を達成する電子機能素子21と該電子機能素子20と密着して設けられ、電子機能素子21が発する熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電変換素子22とを含む。電子機能素子31が発する熱エネルギーは熱電変換素子22に伝達され、該熱電変換素子22は伝達された熱エネルギーを電気エネルギーに変換して電力として電子回路30の電子部品32に帰還させる。
Claim (excerpt):
電気エネルギー供給手段から電気エネルギーを受けることにより所望の機能を達成する電子機能素子を含む機能手段と、前記機能手段が発する熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電変換手段と、変換した電気エネルギーを回収し、回収した電気エネルギーを前記電力エネルギー供給手段に帰還させる電気エネルギー回収手段とを備えていることを特徴とする半導体装置。
F-Term (6):
5F036AA01
, 5F036BA04
, 5F036BA24
, 5F036BA32
, 5F036BE01
, 5F036BF05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-024146
Applicant:ソニー株式会社
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熱電材料の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-190414
Applicant:大阪瓦斯株式会社
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特開平2-143548
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