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J-GLOBAL ID：200903037575611652

カーボンナノウォール及びその製造方法

Inventor： 堀 勝 ,  竹内 和歌奈 ,  加納 浩之
Applicant, Patent owner： 国立大学法人名古屋大学 ,  NUエコ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008081314
Publication number (International publication number)：2009234833
Application date： Mar. 26, 2008
Publication date： Oct. 15, 2009
Summary：

【課題】凹凸基板の隣り合う凸部と凸部を橋架けするカーボンナノウォール。【解決手段】電子線励起プラズマ発生装置を用いることで、炭素源から極めてエネルギーの高い化学種を生成させることができる。また、凸部と凸部の間隔を200nmとし、表面にチタンその他の金属膜を形成することで、隣り合う凸部と凸部を橋架けするカーボンナノウォールを形成できた(2.B)。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

電子線励起プラズマを用い、 凹凸を形成した基板上に、当該基板の凹部を跨いで隣り合う凸部の橋架け状にカーボンナノウォールを形成することを特徴とするカーボンナノウォールの製造方法。

IPC (3)：

C01B 31/02 ,  B82B 3/00 ,  H01L 29/06

FI (3)：

C01B31/02 101Z ,  B82B3/00 ,  H01L29/06 601N

F-Term (17)：

4G146AA07 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• カーボンナノウォールの製造方法と製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-343214   Applicant：平松美根男, 堀勝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Superior Thermal Conductivity of Single-Layer Graphen