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J-GLOBAL ID：200903037579733450
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993001485
Publication number (International publication number)：1994204284
Application date： Jan. 08, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】電極2層構造の半導体装置において、ボンディング時に、クラックが発生しないように厚くしている層間絶縁膜を薄くできるようにする。【構成】第2電極ボンディングパッド11下に硬度の非常に低い膜、例えば多結晶シリコン膜10、または、硬度の非常に高い金属膜をバリア層として形成する。これにより、ボンディング時に層間絶縁膜、例えばプラズマ窒化膜8にクラックが発生しても、第2電極の配線材料がこのクラックに浸透することがないため、第1電極6、7とショートすることがなく、層間絶縁膜8を薄くすることができる。
Claim (excerpt)：
層間絶縁膜を介した電極2層構造を有する半導体装置において、上層第2電極のボンディングパット領域と層間絶縁膜の間に硬度が非常に低くボンディング時にクラックを発生しない膜、または硬度が非常に高くボンディング時に破壊、クラックを発生しない金属膜をボンディングパット領域を包含する広い範囲に有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/3205
Cited by examiner (7)
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