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J-GLOBAL ID：200903037583774935

マイクロカプセルの処理方法

Inventor： 中村 公一 ,  副田 義和 ,  山本 浩史 ,  松岡 直樹
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 藤本 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993218972
Publication number (International publication number)：1995053925
Application date： Aug. 11, 1993
Publication date： Feb. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 接着剤層中のマイクロカプセルを直接的、選択的に加熱できて膨張又は/及び破壊処理を施すことができ、接着剤層を付設した被着体に対する熱等の負荷が少なくて影響を及ぼしにくいマイクロカプセルの処理方法を得ること。【構成】 接着剤層中に含有させた、電気絶縁性の殻からなるマイクロカプセルを高周波により誘電加熱して膨張又は/及び破壊させるマイクロカプセルの処理方法。【効果】 低耐熱物や大型物等の幅広い対象に適用でき、発熱の応答性や全体における発熱の均等性に優れて被着体表面を傷付けることなく短時間で目的とする処理を施せる。

Claim (excerpt)：

接着剤層中に含有させた、電気絶縁性の殻からなるマイクロカプセルを高周波により誘電加熱して膨張又は/及び破壊させることを特徴とするマイクロカプセルの処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特表平1-502436
  
• 特開昭56-161486
  
• 特開昭48-032138
  
• 特開平3-072943