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J-GLOBAL ID：200903037584024522
半導体素子の支持基板及びそれを使用した回路装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991209219
Publication number (International publication number)：1993047955
Application date： Aug. 21, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体素子をフリップチップ実装する際、回路基板と半導体素子との間において突起電極を介して接続する半導体素子の支持基板に関し、従来の突起電極の配列を改善することにより応力の集中による回路装置の不良を低減することを目的とする。【構成】 支持基板14の表面には、半導体素子の外周部に沿って設けた電極端子に対向する位置に電極端子21を設ける。支持基板14の裏面には表面の電極端子21と導通する電極端子22を碁盤目状に配置する。電極端子21,22は突起電極にて半導体素子及び回路基板とに接続される。半導体素子と回路基板との熱膨脹係数の差により生じる応力は、碁盤目状に配置された突起電極に分散される。
Claim (excerpt)：
回路基板と外周部に沿って電極端子が設けられた半導体素子との間に配置され、表面には前記半導体素子の電極端子と対向する位置に、突起電極を介して前記半導体素子の電極端子と接続される第1の電極端子を、裏面には前記第1の電極端子と導通し、他の突起電極を介して前記回路基板に設けられた電極端子と接続される第2の電極端子を有する基板であって、少なくとも前記基板の裏面に配置される第2の電極端子の一つが前記第1の電極端子と対向しないように、前記第2の電極端子を前記第1の電極端子よりも内側の位置にも配置したことを特徴とする半導体素子の支持基板。
IPC (2)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
H01L 23/12 F
, H01L 23/12 L
, H01L 23/12 Q
