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J-GLOBAL ID：200903037584982620

半導体素子の製造方法

Inventor： 木村 俊広
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996059328
Publication number (International publication number)：1997252014
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】チップ実装並みの高密度実装が可能であり、製造工数もかからず、品種の切り換えが容易で、多品種生産に好適な半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】金属板上に半導体素子を固着し、該金属板と該半導体素子とをワイヤによって電気的に結線した後、封止樹脂で上記半導体素子を封止し、上記ワイヤで結線した上記金属板の直下の裏面を電極として基板等と電気的に接続できるようにした半導体素子の製造において、基材上に金属箔を貼り付け、所定部分を残すように該金属箔のエッチングを行った後、該金属箔上に半導体素子を固着し、該金属箔と該半導体素子とをワイヤによって結線した後に該半導体素子を封止樹脂によって封止し、上記基材上から分離しパッケージしてなることを特徴とする半導体素子の製造方法

Claim (excerpt)：

金属板上に半導体素子を固着し、該金属板と該半導体素子とをワイヤによって電気的に結線した後、封止樹脂で上記半導体素子を封止し、上記ワイヤで結線した上記金属板の直下の裏面を電極として基板等と電気的に接続できるようにした半導体素子の製造において、基材上に金属箔を貼り付け、所定部分を残すように該金属箔のエッチングを行った後、該金属箔上に半導体素子を固着し、該金属箔と該半導体素子とをワイヤによって結線した後に該半導体素子を封止樹脂によって封止し、上記基材上から分離しパッケージとして完成することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28

FI (4)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 23/12 L