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J-GLOBAL ID：200903037588923335

ドライエッチング方法

Inventor： 及川 洋一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992017149
Publication number (International publication number)：1993217955
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造工程においてタングステンシリサイド層をエッチングする際のドライエッチング方法に関し、シリコン酸化膜のエッチングを抑制すると共にタングステンシリサイド層のアンダーカットの発生を防止し、更に環境破壊を防止する。【構成】 タングステンシリサイド層13上にフォトレジスト14をパターン形成し、その後タングステンシリサイド層13を弗素以外のハロゲン元素(HBr、Cl2 )と酸素ガスとの混合ガス又は前記混合ガスにHeを添加した混合ガスを使用して、反応性イオンエッチングによりエッチングする。

Claim (excerpt)：

タングステンシリサイドを反応性イオンエッチングによりドライエッチングする方法において、エッチング用ガスとして、弗素元素以外のハロゲン元素を1種又は2種以上含むガスと酸素ガスとの混合ガスを使用することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/3205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-097826
  
• 特開平3-241829
  
• 特開昭62-029141