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J-GLOBAL ID：200903037604151100

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 世良 賢二
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046477
Publication number (International publication number)：1993251703
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】多結晶シリコン薄膜を用いた薄膜トランジスタによる回路動作電圧マージンを拡大し、オフ時の消費電力を低減する。【構成】多結晶シリコン薄膜4による薄膜半導体活性層にP型不純物をドープすることにより、しきい値を制御してゲート電圧0Vに対する動作特性をシフトして、P型とN型薄膜トランジスタの特性曲線をゲート電圧0Vに対して対称的にする。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に設けた多結晶シリコン薄膜半導体活性層と、前記薄膜半導体活性層を被覆して設けたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けたゲート電極と、前記ゲート電極に整合して前記薄膜半導体活性層に設けたソース・ドレイン領域とを含んで設けた薄膜トランジスタにおいて、前記薄膜半導体活性層がP型不純物原子を含有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-009532
  
• 特開昭64-031466
  
• 特開平2-249240