Pat

J-GLOBAL ID：200903037618784289

ウエット処理方法および処理装置

Inventor： 大見 忠弘
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995184893
Publication number (International publication number)：1997010713
Application date： Jun. 28, 1995
Publication date： Jan. 14, 1997
Summary：

【要約】【目的】 薬品及び超純水の使用量が少なく、高温プロセスを経ることなく、廃液処理が容易であり、しかもハイドロカーボン除去率が極めて高く、かつ、充分な水素ターミネートを容易に行うことが可能なウエット処理方法及びウエット処理装置を提供すること。【構成】 半導体基板、ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部品等の被処理物を、水中に水素又は水素と微量の希ガスを含有する超純水で処理する方法であって、これに20kHz以上の超音波を照射しながら被処理物をウェット処理することを特徴とするウェット処理方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板、ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部品等の被処理物を、水中に水素又は水素と微量の希ガスを含有する超純水で処理する方法であって、これに20kHz以上の超音波を照射しながら被処理物をウェット処理することを特徴とするウェット処理方法。

IPC (3)：

B08B 3/12 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (3)：

B08B 3/12 A ,  H01L 21/304 341 T ,  H01L 21/304 341 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-073333
  
• 特開平2-091922
  
• 液処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143679   Applicant：ソニツク・フエロー株式会社