Pat
J-GLOBAL ID：200903037628449313
光集積回路
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992187960
Publication number (International publication number)：1994037299
Application date： Jul. 15, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】光多重信号の送受信に要する、波長の選択と、光信号の受光・発光をあずかる光回路を一体化し、特に加入者装置を経済化する光集積回路を提供する。【構成】半導体基板10上の積層構造の中で、第1の波長の入射光を検出するための吸収層6と、第1の波長に近い第2の波長の出力光を発振するための活性層6とを兼用するとともに、第2の波長の出力光の発振器構造1の中に第1の波長の入射光の検出器構造を具備して、上記第1と第2の波長の光を下層構造に透過させることなしに、これより長い波長の少なくとも第3の波長の入射光に対してはこれを下層構造に透過させる面型半導体レーザ1の構造層と、該面型半導体レーザ1の構造層と半導体基板10との間に、該レーザの構造層を透過した上記少なくとも第3の波長の光を検出する面型光検出器2の構造層を備える。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、波長の異なる複数の光の発振のための活性層と検出のための吸収層を有する積層構造を備え、該積層構造は、その上面の光の入出力面から内部に向かって、第1の波長の入射光を検出するための吸収層と、第1の波長に近い第2の波長の出力光を発振するための活性層とを兼用するとともに、第2の波長の出力光の発振器構造の中に第1の波長の入射光の検出器構造を具備して、上記第1と第2の波長の光を下層構造に透過させることなしに、これより長い波長の少なくとも第3の波長の入射光に対してはこれを下層構造に透過させる面型半導体レーザの構造層と、該面型半導体レーザの構造層と上記基板との間に、該レーザの構造層を透過した上記少なくとも第3の波長の光を検出する面型光検出器の構造層を備えることを特徴とする光集積回路。
IPC (2)：
Return to Previous Page
