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J-GLOBAL ID：200903037629711160

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 小田 典明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999362853
Publication number (International publication number)：2001176967
Application date： Dec. 21, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 回路の誤動作がなく、配線容量の増加を防止して回路の高速化を達成可能な半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】 絶縁層内に、配線の外表面全てを高融点金属窒化物で囲繞してなる配線層を、埋設してなる半導体装置及びその製造方法。

Claim (excerpt)：

基体上に形成された絶縁層中に、銅配線とこれを被覆する高融点金属窒化物の膜とを有する配線層を、埋設してなることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 L

F-Term (23)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM15 ,  5F033MM19 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033SS12 ,  5F033SS15 ,  5F033XX05 ,  5F033XX24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 集積回路の多段埋め込み配線構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-089507   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-064108   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-133533   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-248668   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-148318   Applicant：株式会社東芝
• 銅相互接続構造および形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-097400   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 化学的機械研磨方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-057477   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法及び化学的機械研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-295582   Applicant：株式会社リコー