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J-GLOBAL ID：200903037631037271

高周波用半導体装置の実装構造

Inventor： 北澤 謙治 ,  郡山 慎一 ,  藤井 幹男
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996229922
Publication number (International publication number)：1998074863
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】高周波信号を伝送損失を低減し、特性劣化なく伝送するとともに、実装部分で信号の反射を抑制し伝送特性の優れた実装構造を提供する。【解決手段】キャビティ4内部の誘電体基板2の表面に、半導体素子5と電気的に接続された第1の信号伝送線路8と、誘電体基板2の底面に第2の信号伝送線路10とを形成し、第1の信号伝送線路8と第2の信号伝送線路10を電磁結合させてなる高周波用半導体装置1を、第2の信号伝送線路10によって外部電気回路基板20の配線層21に実装してなる実装構造であって、半導体装置1の誘電体基板2を誘電率7以上の高誘電率材料により、外部電気回路基板20の絶縁基板を誘電率7以下の低誘電率材料によってそれぞれ形成する。

Claim (excerpt)：

誘電体基板と蓋体により形成されるキャビティ内部に高周波半導体素子が搭載され、前記キャビティ内部の前記誘電体基板の表面に、前記半導体素子と電気的に接続された第1の信号伝送線路と、前記誘電体基板の底面に第2の信号伝送線路とを形成し、前記第1の信号伝送線路と第2の信号伝送線路を電磁結合させてなる高周波用半導体装置を、前記第2の信号伝送線路によって外部電気回路基板の配線層に実装してなる実装構造であって、前記半導体装置の誘電体基板を誘電率7以上の高誘電率材料により、前記外部電気回路基板の絶縁基板を誘電率7以下の低誘電率材料によってそれぞれ形成したことを特徴とする高周波用半導体装置の実装構造。

IPC (2)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/04

FI (2)：

H01L 23/12 301 Z ,  H01L 23/04 F