Pat
J-GLOBAL ID:200903037643483374
基板上に歪層を製造する方法及び層構造
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
江崎 光史
, 三原 恒男
, 奥村 義道
, 鍛冶澤 實
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006504301
Publication number (International publication number):2006524427
Application date: Apr. 15, 2004
Publication date: Oct. 26, 2006
Summary:
この発明は、基板上に歪層を有する層構造を製造する方法に関し、この方法は、歪を持たせる層に隣接する層内に、欠陥領域を形成する工程と、歪を持たせる層に隣接する少なくとも一つの層を緩和させる工程とを有する。この欠陥領域は、特に基板内に形成される。別のエピタキシャル層を配置することができる。このようにして形成した層構造は、有利には様々な種類の部品に適している。
Claim (excerpt):
基板(1,2)上に歪層を製造する方法であって、
歪を持たせる層(3,5)に隣接する層(1,2,4,6)内に、欠陥領域(99)を形成する工程と、
歪を持たせる層(3,5)に隣接する少なくとも一つの層(4,6)を緩和させる工程と、
を有する方法。
IPC (4):
H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/265
FI (5):
H01L21/20
, H01L27/12 B
, H01L21/265 Q
, H01L21/265 602A
, H01L21/265 V
F-Term (33):
5F152LL03
, 5F152LL09
, 5F152LM09
, 5F152LN08
, 5F152LN14
, 5F152LN15
, 5F152LN21
, 5F152MM02
, 5F152MM04
, 5F152MM09
, 5F152MM11
, 5F152MM18
, 5F152MM19
, 5F152NN03
, 5F152NN04
, 5F152NN05
, 5F152NN06
, 5F152NN10
, 5F152NN12
, 5F152NN13
, 5F152NN15
, 5F152NN19
, 5F152NN29
, 5F152NP02
, 5F152NP03
, 5F152NP04
, 5F152NP05
, 5F152NP06
, 5F152NP09
, 5F152NP10
, 5F152NP12
, 5F152NQ03
, 5F152NQ04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (2)
Return to Previous Page