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J-GLOBAL ID：200903037655965757

電子放出素子及びその製造方法

Inventor： 蒲生 秀典
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社
Agent (1)： 田治米 登 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994136336
Publication number (International publication number)：1995320629
Application date： May. 25, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電界放射型の電子放出素子のエミッタ配線層とゲート電極層との間に、高い密着性を有し、しかもピンホールフリーの絶縁層を異方性蒸着法を用いずに形成できるようにする。【構成】 絶縁性基板1、エミッタ配線層2、絶縁層5及びゲート電極層6が順次積層され、ゲート電極層6と絶縁層5とにはエミッタ配線層2に達する開孔部Aが設けられ、その開孔部A内のエミッタ配線層2上にエミッタ層4が、絶縁層5及びゲート電極層6に接触しないように積層されてなる電界放射型の電子放出素子において、絶縁性基板及びエミッタ配線層を光透過性とし、エミッタ配線層2とエミッタ層4との間に遮光層3を設け、そして絶縁層5をネガ型フォトレジストから形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板、エミッタ配線層、絶縁層及びゲート電極層が順次積層され、該ゲート電極層と絶縁層とにはエミッタ配線層に達する開孔部が設けられ、その開孔部内のエミッタ配線層上にエミッタ層が、絶縁層及びゲート電極層に接触しないように積層されてなる電界放射型の電子放出素子において、絶縁性基板及びエミッタ配線層が光透過性であり、絶縁層がネガ型フォトレジストから形成されており、そしてエミッタ配線層とエミッタ層との間に遮光層が設けられていることを特徴とする電子放出素子。

IPC (5)：

H01J 1/30 ,  G09F 9/313 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12 ,  H01J 31/15