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J-GLOBAL ID:200903037658345326

パターン形成材料及びパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 前田 弘 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001112175
Publication number (International publication number):2002311589
Application date: Apr. 11, 2001
Publication date: Oct. 23, 2002
Summary:
【要約】【課題】 1nm帯〜30nm帯又は110nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を用いてレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】 [化1]で表わされる第1のユニット及び[化2]で表わされる第2のユニットを含む重合体と、酸発生剤とを有するパターン形成材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する。【化1】【化2】(但し、R1 及びR3 は、同種又は異種であって、アルキル基、塩素原子又はフッ素原子を含むアルキル基であり、R2 は、酸により脱離する保護基であり、mは0〜5の整数である。)次に、レジスト膜に対して、1nm帯〜30nm帯又は110nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。
Claim (excerpt):
[化1]で表わされる第1のユニット及び[化2]で表わされる第2のユニットを含む重合体と、酸発生剤とを有するパターン形成材料。【化1】【化2】(但し、R1 及びR3 は、同種又は異種であって、アルキル基、塩素原子又はフッ素原子を含むアルキル基であり、R2 は、酸により脱離する保護基であり、mは0〜5の整数である。)
IPC (4):
G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08F220/42 ,  H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08F220/42 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (25):
2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  4J100AB03P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AB10P ,  4J100AM02Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA40Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • ポジ型レジスト組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-202298   Applicant:富士写真フイルム株式会社
  • ポジ型レジスト組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2002-074337   Applicant:富士写真フイルム株式会社
  • レジスト組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-100629   Applicant:住友化学工業株式会社

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