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J-GLOBAL ID:200903037658345326
パターン形成材料及びパターン形成方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
前田 弘 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001112175
Publication number (International publication number):2002311589
Application date: Apr. 11, 2001
Publication date: Oct. 23, 2002
Summary:
【要約】【課題】 1nm帯〜30nm帯又は110nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を用いてレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】 [化1]で表わされる第1のユニット及び[化2]で表わされる第2のユニットを含む重合体と、酸発生剤とを有するパターン形成材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する。【化1】【化2】(但し、R1 及びR3 は、同種又は異種であって、アルキル基、塩素原子又はフッ素原子を含むアルキル基であり、R2 は、酸により脱離する保護基であり、mは0〜5の整数である。)次に、レジスト膜に対して、1nm帯〜30nm帯又は110nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。
Claim (excerpt):
[化1]で表わされる第1のユニット及び[化2]で表わされる第2のユニットを含む重合体と、酸発生剤とを有するパターン形成材料。【化1】【化2】(但し、R1 及びR3 は、同種又は異種であって、アルキル基、塩素原子又はフッ素原子を含むアルキル基であり、R2 は、酸により脱離する保護基であり、mは0〜5の整数である。)
IPC (4):
G03F 7/039 601
, C08F212/14
, C08F220/42
, H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/039 601
, C08F212/14
, C08F220/42
, H01L 21/30 502 R
F-Term (25):
2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC05
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB16
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025FA17
, 4J100AB03P
, 4J100AB07Q
, 4J100AB07R
, 4J100AB10P
, 4J100AM02Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA40Q
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-202298
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-074337
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-100629
Applicant:住友化学工業株式会社
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