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J-GLOBAL ID：200903037664385933

半導体基板配線のバリア層

Inventor： 小榑 直明 ,  井上 裕章 ,  江澤 弘和 ,  宮田 雅弘
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 熊谷 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997270492
Publication number (International publication number)：1999097444
Application date： Sep. 17, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 配線材料との接合が強く、且つ比抵抗(ρ)が低い材料を用い、絶縁膜の間で生じる相互拡散を防止できる半導体基板配線のバリア層を提供すること。【解決手段】 半導体基板に設けた配線層と該配線層に隣接する絶縁膜との間に設けられ、該配線層12と該SiO2の絶縁膜10の間で生じる相互拡散を防止するバリア層11であって、該バリア層11はB(ボロン)を含有するNi(ニッケル)合金材からなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板に設けた配線と該配線に隣接する絶縁膜との間に設けられ、該配線と該絶縁膜の間で生じる相互拡散を防止するバリア層であって、前記バリア層はB(ボロン)を含有するNi(ニッケル)合金材からなることを特徴とする半導体基板配線のバリア層。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301

FI (2)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/28 301 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 配線の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-118602   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-218919