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J-GLOBAL ID:200903037669764363
多波長量子ドットレーザ素子
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山口 朔生
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007137640
Publication number (International publication number):2008172188
Application date: May. 24, 2007
Publication date: Jul. 24, 2008
Summary:
【課題】多波長量子ドットレーザ素子の提供。【解決手段】異なる発光波長を有する量子ドット活性領域の垂直方向の積層体が使用され、各量子ドット活性領域の厚さ、材料組成、および、量子ドットサイズが変調されて様々なレーザ発振状態が形成される。量子ドットレーザ素子に印加される電流が発振開始電流条件よりも大きい場合、異なる波長を有するレーザが各量子ドット活性領域で同時に得られ、それにより、多波長量子ドットレーザ素子の適用が達成される。【選択図】図2
Claim (excerpt):
多波長量子ドットレーザ素子であって、
第1の半導体層と、
第2の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に配置され、複数の量子ドット活性領域を有する活性領域であって、前記量子ドット活性領域それぞれが対応する数の被覆層を有する複数の量子ドット層を備え、前記各被覆層が前記各量子ドット層を被覆する活性領域と、を備え、
印加電流が発振開始電流よりも大きい場合、前記量子ドット活性領域は異なる波長の複数のレーザ光を同時に生成する、多波長量子ドットレーザ素子。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (11):
5F173AA08
, 5F173AF09
, 5F173AF12
, 5F173AH03
, 5F173AH04
, 5F173AH06
, 5F173AH22
, 5F173AH49
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AR07
Patent cited by the Patent:
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