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J-GLOBAL ID：200903037677964193

不揮発性メモリ

Inventor： 浪瀬 智博 ,  山道 和彦
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松尾 憲一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008011557
Publication number (International publication number)：2009176340
Application date： Jan. 22, 2008
Publication date： Aug. 06, 2009
Summary：

【課題】データの書き込み及び消去が可能なメモリセルMCと、このメモリセルMCからデータを差動S/A24で読み出すときに比較基準となる閾値を有するリファレンスセルRCとを備えた不揮発性メモリにおいて、差動S/A24の誤判定を起こすまでの書き換え回数或いはデータ保持時間を増加させる。【解決手段】メモリセルMCの劣化をモニターする劣化モニターセルEMC,PMCと、メモリセルMCのデータ書き換え処理の際に、劣化モニターセルEMC,PMCに書き換え処理を行って劣化モニターセルEMC,PMCにメモリセルMCと同様のストレスを加え、メモリセルMCのデータ読み出しのためにメモリセルMCの制御ゲートに対して、劣化モニターセルEMC,PMCの閾値に応じた電圧を印加することにより、リファレンスセルRCの閾値を見かけ上変動させ、閾値マージンを適切に調整する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

データの書き込み及び消去が可能なメモリセルと、前記メモリセルからデータを読み出すときに比較基準となる閾値を有するリファレンスセルと、を備えた不揮発性メモリにおいて、 前記メモリセルの劣化をモニターする劣化モニター用メモリセルと、 前記メモリセルのデータ書き換え処理の際に、前記劣化モニター用メモリセルに書き換え処理を行って前記劣化モニター用メモリセルに前記メモリセルと同様のストレスを加えるストレス印加器と、 前記メモリセルのデータ読み出しのために前記メモリセルの制御ゲートへ印加する電圧として、前記劣化モニター用メモリセルの閾値に応じた電圧を生成する制御電圧生成器と、を備えたことを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (2)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (4)：

G11C17/00 613 ,  G11C17/00 614 ,  G11C17/00 624 ,  G11C17/00 621Z

F-Term (13)：

5B125BA08 ,  5B125BA19 ,  5B125CA28 ,  5B125DA09 ,  5B125EA01 ,  5B125EC03 ,  5B125EC06 ,  5B125EE03 ,  5B125EE10 ,  5B125EH04 ,  5B125EJ09 ,  5B125EJ10 ,  5B125FA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体不揮発性記憶装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-335760   Applicant：ソニー株式会社