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J-GLOBAL ID：200903037684784826

半導体レーザ装置の製造方法

Inventor： 瀬古 保次
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中野 佳直 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992172186
Publication number (International publication number)：1994021564
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高効率かつ低しきい値で、温度特性を良くすると共に、近接ストライプ間の熱的クロストークを低減させる。【構成】 代表的な結晶面方位(001)から傾斜した結晶面を表面とする傾斜基板1に、エッチング法などにより1または複数個のストライプ状凸形状の平坦面1aを形成する。この基板表面全体にクラッド層5,10とコンファイメント層6とそれにより挟まれた活性層(井戸層7,障壁層8)を主構成要素とする半導体レーザ構造を作製する。活性層はストライプ状凸形状の上部平坦面に存在する単原子層ステップを利用した縦型超格子で形成された量子井戸、あるいは量子細線あるいは量子箱により構成される。マルチビームレーザの場合、クラッド層10を覆うp型キャップ層11上にはエッチングで分離されたp型電極21a,21bを、また基板1側にはn型電極22が形成される。

Claim (excerpt)：

代表的な結晶面方位(001)等から傾斜した結晶面を基板表面に有する傾斜基板上に、該基板表面を凸形状の上部平坦面とするストライプ状凸形状を形成した後に、前記ストライプ状凸形状の上部平坦面を含む基板表面上に主構成要素としてのクラッド層、光導波路層、活性層、光導波路層、クラッド層を順次成長させ、前記活性層が前記ストライプ状凸形状の上部平坦面に存在する単原子層ステップを利用した縦型超格子による量子細線で形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。