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J-GLOBAL ID：200903037686861720

発光ダイオード素子およびその製造方法

Inventor： 荻野 晃 ,  仲 弘 ,  高見澤 雄二 ,  田口 英夫 ,  苅田 秀孝 ,  上原 博昭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995103462
Publication number (International publication number)：1996298344
Application date： Apr. 27, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板の一面に部分的に突出したレンズを有する発光ダイオード素子を歩留りよく安価に製造する技術を提供する。【構成】 半導体ウエハの一面に部分的に突出したレンズを所定間隔に形成する工程と、前記半導体ウエハを縦横に分断する工程とを有する発光ダイオード素子の製造方法であって、前記レンズ形成工程の前または後に前記半導体ウエハの他面にアノード電極とカソード電極を形成する。前記アノード電極とカソード電極は同時に形成する。前記アノード電極およびカソード電極は蒸着で形成する。【効果】 アノード電極およびカソード電極が同一面に設けられ、電極形成は1回の電極形成工程で済むことから製造コストの低減が達成できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一面に部分的に突出したレンズを有する発光ダイオード素子であって、前記レンズが設けられない半導体基板の他面にアノード電極およびカソード電極が設けられていることを特徴とする発光ダイオード素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 M