層間絶縁膜、その形成方法及び配線の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001070745
Publication number (International publication number)：2001332543
Application date： Mar. 13, 2001
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】層間絶縁膜となる有機高分子膜を有機高分子の架橋部位を切断することなく多孔質化すると共に、有機高分子膜に分子レベルのサイズを有し且つ連続していない空孔を均一に分散させる。【解決手段】同一分子内に3つ以上の官能基群を持つことにより3次元構造を有している第1の架橋分子と、同一分子内に2つの官能基群を持つことにより2次元構造を有している第2の架橋分子とを重合させて3次元重合高分子からなる層間絶縁膜を形成する。3次元重合高分子の内部には、第1の架橋分子と第2の架橋分子とが重合することにより形成された分子レベルの多数の空孔が分散している。

Claim (excerpt)：

3次元構造を有する第1の架橋分子と2次元構造を有する第2の架橋分子とが重合することに形成され、内部に分子レベルの多数の空孔を有する3次元重合高分子からなることを特徴とする層間絶縁膜。

IPC (3)：

H01L 21/312 , H01L 21/768 , C09D177/00

FI (4)：

H01L 21/312 A , C09D177/00 , H01L 21/90 S , H01L 21/90 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

低誘電率重合体組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-249429 Applicant：東レ株式会社

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