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J-GLOBAL ID：200903037702925270

半導体装置

Inventor： 鳥取 猛志 ,  中川 和成 ,  高杉 和夫 ,  玉田 要
Applicant, Patent owner： 日立マクセル株式会社
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994244199
Publication number (International publication number)：1996111360
Application date： Oct. 07, 1994
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 薄型化が可能で湾曲しても割れない可撓性を有し、任意の曲面形状の物体上に装着できる半導体装置を提供する。【構成】 可撓性を有するフィルム状の基体1上に、p層やn層のアクティブ層2c及びSiO2 保護膜2b等からなる可撓性を有する極薄の(例えば3〜80μm厚の)半導体膜2が導電性接合材3で電気的に接合され、保護樹脂4で封止されて任意に湾曲できる半導体装置が得られる。半導体膜2を保護膜2b,アクティブ層2c,その下のウェハの3層とし、ウェハに多数の溝を格子状に形成することで、更に柔軟性を付与できる。

Claim (excerpt)：

可撓性を有する基体上に可撓性を有する極薄の半導体膜が接合されていることを特徴とする可撓性を備えた半導体装置。