Pat

J-GLOBAL ID：200903037713995572

半導体レーザ素子

Inventor： 森本 泰司 ,  石住 隆司
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 山崎 宏 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991189880
Publication number (International publication number)：1993037072
Application date： Jul. 30, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 戻り光雑音を抑制できる上、熱放散効率を良くして信頼性を向上できる半導体レーザ素子を提供する。【構成】 チップ本体1の端面2aのレーザ光出射箇所220の周囲に、活性層205よりも小さいバンドギャップを有する半導体材料からなる光吸収層4,4を設ける。上記端面2aと光吸収層4,4との間に、活性層205よりも大きいバンドギャップを有する半導体材料からなり、上記端面全域を覆う窓層3aを設ける。

Claim (excerpt)：

レーザ発振を行う活性層を含む半導体層からなり、上記半導体層の端面のうちの特定箇所からレーザ光を出射するチップ本体と、上記活性層よりも小さいバンドギャップを有する半導体材料からなり、上記チップ本体の上記端面のうち上記レーザ光を出射する箇所の周囲を覆う光吸収層と、上記活性層よりも大きいバンドギャップを有する半導体材料からなり、上記チップ本体の上記端面と上記光吸収層との間に設けられ上記端面全域を覆う窓層を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。