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J-GLOBAL ID：200903037729672714
プラズマ処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996241313
Publication number (International publication number)：1998064696
Application date： Aug. 23, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：
【要約】【課題】 パルスプラズマによるプラズマ処理を最適化する。【解決手段】 本発明によれば、プラズマ励起用高周波パルスのオンタイミングに合わせて共振周波数を定常時よりも高くシフトさせることにより、共振状態を整いやすくさせ、各パルスプラズマの着火性能を高めることができる。また、バイアス用高周波パルスの周波数または出力を制御して、被処理体の処理面上でのVPPまたはVDCを一定に保持することにより、イオンエネルギーの急激な変化を回避することが可能となり、被処理体へのダメージを軽減し、均一なプラズマ処理を行うことができる。
Claim (excerpt)：
プラズマ源に印加される高周波電力をオン/オフ制御またはハイ/ロウ制御してパルスプラズマを励起し、処理室内に載置された被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記高周波電力の周波数を、プラズマの着火時に、パルスプラズマが励起している定常時よりも相対的に高い周波数にシフトさせる周波数制御手段を設けたことを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (4)：
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H05H 1/46 A
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/302 A
