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J-GLOBAL ID:200903037740181331

欠陥検査装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 木村 高久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992320576
Publication number (International publication number):1994168995
Application date: Nov. 30, 1992
Publication date: Jun. 14, 1994
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、小さなパターン不良を検出することのできる欠陥検査装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明の装置は、被検査物表面のマスクパタ-ン情報から理論的パターン情報を形成する手段と、被検査物表面から得られる二次電子波形パタ-ンを作成し、前記マスクパタ-ン情報と被検査物表面から得られる二次電子波形パターンX2 との差分デ-タを算出しこれを表示する手段16とを具備し、被検査物表面から得られる二次電子波形と理論パタ-ンとの差分により半導体表面のパタ-ン形状不良の検出を行うようにしたものである。
Claim (excerpt):
被検査物表面のマスクパターン情報から、理論的パタ-ン情報をあらかじめ作成する理論的パターン作成手段と、被検査物表面から得られる二次電子波形パタ-ンを作成し、前記理論的パターン情報と被検査物表面から得られる二次電子波形パターンとの差分デ-タを算出する比較手段と前記比較手段の出力に基づき欠陥の有無を表示する表示手段とを具備したことを特徴とする欠陥検査装置。
IPC (2):
H01L 21/66 ,  H01L 21/263
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開平4-157569

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