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J-GLOBAL ID：200903037758379473

窒化アルミニウム薄膜の作製方法

Inventor： 宮永 昭治 ,  井上 亨
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992088172
Publication number (International publication number)：1993255848
Application date： Mar. 12, 1992
Publication date： Oct. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 窒化アルミニウム薄膜材料を高速・低温にて形成する方法を提案する。【構成】 高純度アルミニウム基板をターゲット材料に使用した、窒化アルミニウム薄膜を作成目的とする反応性スパッタリング成膜技術において、ハロゲン化窒素および水素および希ガスによるプラズマを反応手段として用いることにより、高純度窒化アルミニウム薄膜を高速かつ低温にて成膜する成膜技術。

Claim (excerpt)：

純アルミニウム材料をターゲットとし、プラズマをその活性化手段とする反応性スパッタリング法による窒化アルミニウム薄膜の作製において、プラズマ原料ガスの全てもしくは一部に窒素のハロゲン系化合物気体を用いて、ターゲット金属の分解または再結合反応を生じせしめることを特徴とする窒化アルミニウム薄膜の作製方法

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  C30B 25/06 ,  C30B 29/38