Pat

J-GLOBAL ID：200903037759987590

磁気ランダムアクセスメモリデバイス中のメモリセルを選択する方法

Inventor： サイード・エヌ・テラニ ,  ハーバート・ゴロンキン
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997363000
Publication number (International publication number)：1998247381
Application date： Dec. 12, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高速度動作、特に読出し段階の高速度動作を達成する、MRAMデバイスにおけるメモリセルの起動の新しい、改良された方法を提供する。【解決手段】 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)内のメモリセルを選択する方法を改善する。メモリセル内の状態が読み出されるときには、メモリセルの内容が検出される前に、いつでもMRAMがコンパレータの出力を0Vに合わせ込む(自動ゼロ化段階)。本発明は、一旦センスライン25が選択され、自動ゼロ化されると、メモリセル29、30に連続的にアクセスする。従って、本発明が全ての読み出されているメモリセルを自動ゼロ化する段階を必要としないので、高速動作が達成される。

Claim (excerpt)：

磁気ランダムアクセスメモリ中のメモリセルを選択する方法であって、当該磁気ランダムアクセスメモリは、ワードライン(21〜24、31〜34)およびセンスライン(25〜27)の交差部に配列せられる複数のメモリセル(29、30)を有するところの方法であって:前記センスライン(25)にセンス電流を供給する段階;および各前記ワードライン(21〜24、31〜34)にワード電流を逐次的に供給する段階;から構成されることを特徴とする方法。